图4.21是将迭林顿连接的晶体管TC4053BP用于射极跟随器使用的例子。达林顿连接是前级晶体管Tr，的发射极电流全部成为后级晶体管Tr。的基极电流，所以为hFEl×hFE2 (hFEl：Tr．的hFE，hFE2：Tr2的矗FE)。因此，Tri的基极电流可以变得非常
小。
    但是，晶体管是由基极电流控制集电极电流的电流控制器件，必须有基极电流，所以器件的输入阻抗不可能很大。

    图4.22是前级使用IFET，后级采用晶体管的混合达林顿连接的源极跟随器（射极跟随器？）电路。这个电路是Tri的源极电流全部成为Tr2的基极电流，所以是达林顿连接形式。
    由于前级采用输入电流几乎为零的FET(JFET的输入电流约为pA～nA量级)，所以电路的输入阻抗可以作的非常大。而且由于Trz使用晶体管，所以对发射极电流也没有限制(JFET的源极跟随器的输出电流不超过IDSS)。就是说，这个电路是一个兼备了FET的高输入阻抗特性和晶体管的大输出电流特性的电路。

    这个电路是N沟JFET与NPN晶体管，P沟JFET与PNP晶体管组合，所以JFET的VGS与晶体管的VBE极性相反，相互抵消。Tr2的发射极电位与Tri的栅极电位相同，其值接近OV。实际的电路中，晶体管的hFE稍大些，所以Tr2的基极电流一Tri的源极电流，其值小，Tri是在VGS接近夹断电压的值下工作。
   发射极电阻RE可以在Tr2的发射极电位为OV的情况下计算得到。图4.22的电路中，发射极电流设定为50mA，所以RE =100Q(一5V／50mA)。
    由于JFET的VGS具有分散性，不能确定源极电位究竟是正还是负(VGS<0.6V时为负，VGS>O. 6V时为正)，所以从Tr：的发射极取出输出所用耦合电容必须采用无极性电容器。
    Tri使用的JFET选用栅极一漏极间电压的最大额定值GDS大于电源电压的器件。不过由于Tri的源极电流成为Tr。的基极电流，所以JFET必须选择IDSS大于Tr2所必要的最大基极电流（发射极电流/hFE）的器件。
    对于Tr2，应该选择集电极一基极间电压和集电极一发射极电压的最大额定值VCBO、CEO高于电源电压，而且集电极电流最大额定值大于设定的发射极电流值（近似集电极电流）的晶体管。不论哪个档次的hFE都可以。