采用JFET设计源极跟随器型开关SN74HCT08N电路时，与源极接地型开关电路相同，必须注意，D的设定值与器件的IDSS。这是因为对于JFET来说不能够取出大于IDSS的漏极电流。
    电路中使用的JFET应该选择漏极一源极间耐压高于电源电压，IDSS大于FET导通时流过的漏极电流（流过RD的电流十由输出端向外部提供的电流）的器件。
    一般来说，像源极跟随器型开关电路这样的应用中经常要求取出大电流，所以与漏极电流受到IDSS限制的JFET相比，使用更多的是MOSFET或者双极晶体管（射极跟随器型开关电路）。
    设计使用MOSFET的电路与JFET不同的是漏极电流不受限制，所以应该选择漏极一源极间电压的最大额定值V DSS与栅极一源极间电压的最大额定值VGSS大于电源电压，漏极电流ID的最大额定值大于流过电路的漏极电流（流过RD的电流+．由输出端向外部提供的电流）的器件。但是在使用MOSFET的场合，为了防止器件的静电击穿必须设置栅极偏置电阻Rc。