图10.17是使用晶ADC0832CCN体管的H电桥电路。使用晶体管构成的电路中也是Tri与Tr3采用PNP发射极接地型开关电路，Tr2与Tr。采用NPN发射极接地型开关电路。但是，晶体管必须流过大小为集电极电流l/hFE倍的基极电流，所以在选择内藏电阻晶体管的型号时必须注意计算驱动电路的基极电阻。
    图10.17的电路中，为了流过1A的集电极电流，设定基极电流为20mA（按HEF=50计算）。D1～D4是吸收电动机反电动势的续流二极管。图10.7中使用的晶体管内藏了二极管。一般的晶体管中并没有内藏这样的二极管，所以需要在集电极一发射极之间外接二极管。应该选择反向耐压大于电源电压，正向电流大于H电桥最大输出电流的续流二极管。图10. 17的电路中选用的是反向电压为200V，正向电流为1A的S5277B(东芝)。