如图2.33(b)所示，MOS型FET是在P型半导俸中RS2K(FR156)形成两个N型半导体，将表面氧化形成绝缘良好的氧化绝缘膜，再在其上安装金属作为栅极而构成的。因此，此FET在结构上依次形成金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)，取其首字母称为MOS型。

            
    由此，如图2.33(b)所示，在漏极和源极之间加电压时，由于反向电压加在PN结上而形成耗尽层。这时在栅极和P型衬底之间加正电压时，由于栅极的正电压，在下侧靠近栅极的耗尽层内，因静电感应而生成电子。它成为载流子，并形成了电流的通路。这时电子构成沟道，所以称为N型沟道。衬底使用N型半导体时，空穴构成沟道，所以称为P型沟道。而且，MOS型FET有两种类型：一种是栅极上即使不加电压，漏极和源极之间也有电流流动的耗尽型；另一种是如果栅极上不加电压，漏极和源极之间就没有电流流动的增强型。表2.18中示出各种FET的名称和图形符号。