场效应晶体管RS2J(FR155)简称FET，是一种具有PN结构的半导体器件，但它与普通半导体三极管的不同之处在于它是电压控制器件。场效应晶体管的输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成，但是容易击穿。
    场效应晶体管的结构和图形符号
    场效应晶体管(FET:field-effect transistor)是由电场控制载流子移动的器件。FET大致可以分为结型FET和MOS型FET(图2.33)，它们各有三个电极：源极(S：source)、漏极(D: drain)和栅极(G:gate)。

         
    如图2. 33(a)所示，结型FET是在有源极和漏极两个电极的N型半导体中，形成有栅极的P型半导体而构成的。其中，在源极和栅极之间流过电流，把此通路称为沟道。因此，把源极和栅极之间的电流在N型半导体中流动的情况称为N型沟道。
    此外，还有源极和漏极之间为P型，栅极为N型的结型FET。这时，由于电流的通路为P型半导体，所以称为P型沟道。