如前面图6.8中简单介绍MSP430F5438IPZR过的那样，栅一阴放大连接是源极接地放大电路与栅极接地放大电路纵向配置形式的电路。
    源极接地放大电路能够提高输入阻抗，但是频率特性较差（由于密勒效应降低了高频范围的响应）。另一方面，栅极接地放大电路的频率特性好，不过由于它的输入阻抗低而在应用上有困难。
    栅一阴放大连接是将栅极接地与源极接地两种电路的优点集中起来的电路。就是说，输入部分是源极接地，因而能够提高输入阻抗；输出部分是栅极接地，因此改善了频率特性（源极接地的负载是输入阻抗为零的栅极接地，所以源极接地部分的增益为零，只有栅极接地部分获得增益）。
    图6.14是使用N沟JFET栅一阴放大连接的放大电路。这个电路中Tri是源极接地，Trz是栅极接地。
    电路的总增益与源极接地和橱极接地相同，可以由Tri的源极电阻Rs与Tr。的漏极负载电阻RD之比求得。所以图6.14电路的电压增益为3倍(约6.2kfl/ 2kQ)。