元件的可靠性设计
发布时间:2012/4/21 20:08:40 访问次数:730
在模拟集成电路中，有时需M3406要耐高压，所以要正确设计各元件的耐压能力。对双极IC，要求BⅥb。和BK。。满足耐压要求，而BK：E。和BKb。主要取决于外延层的厚度、电阻率、结深。图2. 14给出了PN结掺杂浓度、结深与击穿电压的关系。MOSIC可采用LD MOS、IGT、LIGBT等结构。
电流容量是元件可靠性设计的一个基本内容。对于要求工作在线性区的双极NPN管，一般单位发射结长度上耐流口为0.04～0.1 6mA／rum，而对于逻辑电路，口可取0.1～0.4；对于横向PNP管，d仅有0.001～0. 008mAlUm。流过电阻上的电流过大会使电阻条烧断，或使其性能下降。
在模拟集成电路中，有时需M3406要耐高压，所以要正确设计各元件的耐压能力。对双极IC，要求BⅥb。和BK。。满足耐压要求，而BK：E。和BKb。主要取决于外延层的厚度、电阻率、结深。图2. 14给出了PN结掺杂浓度、结深与击穿电压的关系。MOSIC可采用LD MOS、IGT、LIGBT等结构。
电流容量是元件可靠性设计的一个基本内容。对于要求工作在线性区的双极NPN管，一般单位发射结长度上耐流口为0.04～0.1 6mA／rum，而对于逻辑电路，口可取0.1～0.4；对于横向PNP管，d仅有0.001～0. 008mAlUm。流过电阻上的电流过大会使电阻条烧断，或使其性能下降。
上一篇：消除寄生效应的版图设计技术
上一篇：单片集成电路工艺可靠性设计技术
相关技术资料- 4-21元件的可靠性设计
公网安备44030402000607
