集成电路可靠性设计的主要内容
发布时间:2012/4/21 19:44:21 访问次数:1727
集成电路可靠性设计的重点CL2263是进行芯片的可靠性设计。芯片可靠性设计的主要内容有：
①对电路进行容差分析和优化设计，提高芯片温度特性和一致性，保证新品在使用要求的工作范围内均能可靠地工作。
②在电路设计和版图设计中进行可靠性设计，主要包括抗栓锁设计、电流密度余量设计、热阻优化设计等。
③版图局部、全局金属密度均匀分析设计；天线效应分析及解决。
④在电路的输入输出端设计保护电路，从而提高电路的抗静电能力。
⑤采用先进的EDA软件进行灵敏度分析、最快情况分析，保证电路的性能指标和加工的成品率。
⑥版图可靠性设计是按照设计好的版图结构，由平面转化成全芯片工艺后的三维型，并使用器件模拟软件，对关键器件进行各部位电流密度测试，防止器件满负荷工作。同时保证大电流密度器件的接触孔的数量及良好接触。
⑦抗干扰设计。CMOS电路的输入阻抗高，又是电压驱动，极易受到干扰，在输入电路加上拉电阻或下拉电阻是提高抗干扰能力的一种方法，也可采用施密特触发器作为输入电路，这种电路抗低电平噪声和抗高电平噪声的能力都很强，适合信号变化较慢的场合。
⑧抗电迁移设计。为防止电迁移效虚，必须避免因台阶问题引起的电迁移失效，即在有通孔的地方加上扩散区或多晶垫；进行电流的计算和全局的功率分配，最大程度地防止电流密度太大而引起的电迁移，使器件失效。
⑨抗栓锁设计。CMOS集成电路的抗栓锁设计是可靠性设计的一项重要内容。特别对于亚微米和深亚微米集成电路，因为线宽越来越小，N+和P+距离也在减小，横向和寄生晶体管的放大倍数增大，使栓锁可能性增大。为了防止栓锁效应，可以采取使P型衬底充分接地、N型衬底充分接电源，以及用场隔离的方法来提高电路的抗栓锁能力。对衬底设置尽量增大接触孔和阱接触孔；I/O端口的设计使用双层隔离环将PAD和内部电路之间进行隔离；内部电路功能块间用隔离环隔离等措施。
①对电路进行容差分析和优化设计，提高芯片温度特性和一致性，保证新品在使用要求的工作范围内均能可靠地工作。
②在电路设计和版图设计中进行可靠性设计，主要包括抗栓锁设计、电流密度余量设计、热阻优化设计等。
③版图局部、全局金属密度均匀分析设计；天线效应分析及解决。
④在电路的输入输出端设计保护电路，从而提高电路的抗静电能力。
⑤采用先进的EDA软件进行灵敏度分析、最快情况分析，保证电路的性能指标和加工的成品率。
⑥版图可靠性设计是按照设计好的版图结构，由平面转化成全芯片工艺后的三维型，并使用器件模拟软件，对关键器件进行各部位电流密度测试，防止器件满负荷工作。同时保证大电流密度器件的接触孔的数量及良好接触。
⑦抗干扰设计。CMOS电路的输入阻抗高，又是电压驱动，极易受到干扰，在输入电路加上拉电阻或下拉电阻是提高抗干扰能力的一种方法，也可采用施密特触发器作为输入电路，这种电路抗低电平噪声和抗高电平噪声的能力都很强，适合信号变化较慢的场合。
⑧抗电迁移设计。为防止电迁移效虚，必须避免因台阶问题引起的电迁移失效，即在有通孔的地方加上扩散区或多晶垫；进行电流的计算和全局的功率分配，最大程度地防止电流密度太大而引起的电迁移，使器件失效。
⑨抗栓锁设计。CMOS集成电路的抗栓锁设计是可靠性设计的一项重要内容。特别对于亚微米和深亚微米集成电路，因为线宽越来越小，N+和P+距离也在减小，横向和寄生晶体管的放大倍数增大，使栓锁可能性增大。为了防止栓锁效应，可以采取使P型衬底充分接地、N型衬底充分接电源，以及用场隔离的方法来提高电路的抗栓锁能力。对衬底设置尽量增大接触孔和阱接触孔；I/O端口的设计使用双层隔离环将PAD和内部电路之间进行隔离；内部电路功能块间用隔离环隔离等措施。
集成电路可靠性设计的重点CL2263是进行芯片的可靠性设计。芯片可靠性设计的主要内容有：
①对电路进行容差分析和优化设计，提高芯片温度特性和一致性，保证新品在使用要求的工作范围内均能可靠地工作。
②在电路设计和版图设计中进行可靠性设计，主要包括抗栓锁设计、电流密度余量设计、热阻优化设计等。
③版图局部、全局金属密度均匀分析设计；天线效应分析及解决。
④在电路的输入输出端设计保护电路，从而提高电路的抗静电能力。
⑤采用先进的EDA软件进行灵敏度分析、最快情况分析，保证电路的性能指标和加工的成品率。
⑥版图可靠性设计是按照设计好的版图结构，由平面转化成全芯片工艺后的三维型，并使用器件模拟软件，对关键器件进行各部位电流密度测试，防止器件满负荷工作。同时保证大电流密度器件的接触孔的数量及良好接触。
⑦抗干扰设计。CMOS电路的输入阻抗高，又是电压驱动，极易受到干扰，在输入电路加上拉电阻或下拉电阻是提高抗干扰能力的一种方法，也可采用施密特触发器作为输入电路，这种电路抗低电平噪声和抗高电平噪声的能力都很强，适合信号变化较慢的场合。
⑧抗电迁移设计。为防止电迁移效虚，必须避免因台阶问题引起的电迁移失效，即在有通孔的地方加上扩散区或多晶垫；进行电流的计算和全局的功率分配，最大程度地防止电流密度太大而引起的电迁移，使器件失效。
⑨抗栓锁设计。CMOS集成电路的抗栓锁设计是可靠性设计的一项重要内容。特别对于亚微米和深亚微米集成电路，因为线宽越来越小，N+和P+距离也在减小，横向和寄生晶体管的放大倍数增大，使栓锁可能性增大。为了防止栓锁效应，可以采取使P型衬底充分接地、N型衬底充分接电源，以及用场隔离的方法来提高电路的抗栓锁能力。对衬底设置尽量增大接触孔和阱接触孔；I/O端口的设计使用双层隔离环将PAD和内部电路之间进行隔离；内部电路功能块间用隔离环隔离等措施。
①对电路进行容差分析和优化设计，提高芯片温度特性和一致性，保证新品在使用要求的工作范围内均能可靠地工作。
②在电路设计和版图设计中进行可靠性设计，主要包括抗栓锁设计、电流密度余量设计、热阻优化设计等。
③版图局部、全局金属密度均匀分析设计；天线效应分析及解决。
④在电路的输入输出端设计保护电路，从而提高电路的抗静电能力。
⑤采用先进的EDA软件进行灵敏度分析、最快情况分析，保证电路的性能指标和加工的成品率。
⑥版图可靠性设计是按照设计好的版图结构，由平面转化成全芯片工艺后的三维型，并使用器件模拟软件，对关键器件进行各部位电流密度测试，防止器件满负荷工作。同时保证大电流密度器件的接触孔的数量及良好接触。
⑦抗干扰设计。CMOS电路的输入阻抗高，又是电压驱动，极易受到干扰，在输入电路加上拉电阻或下拉电阻是提高抗干扰能力的一种方法，也可采用施密特触发器作为输入电路，这种电路抗低电平噪声和抗高电平噪声的能力都很强，适合信号变化较慢的场合。
⑧抗电迁移设计。为防止电迁移效虚，必须避免因台阶问题引起的电迁移失效，即在有通孔的地方加上扩散区或多晶垫；进行电流的计算和全局的功率分配，最大程度地防止电流密度太大而引起的电迁移，使器件失效。
⑨抗栓锁设计。CMOS集成电路的抗栓锁设计是可靠性设计的一项重要内容。特别对于亚微米和深亚微米集成电路，因为线宽越来越小，N+和P+距离也在减小，横向和寄生晶体管的放大倍数增大，使栓锁可能性增大。为了防止栓锁效应，可以采取使P型衬底充分接地、N型衬底充分接电源，以及用场隔离的方法来提高电路的抗栓锁能力。对衬底设置尽量增大接触孔和阱接触孔；I/O端口的设计使用双层隔离环将PAD和内部电路之间进行隔离；内部电路功能块间用隔离环隔离等措施。
上一篇：单片集成电路可靠性设计的基本要求
上一篇：能稳定性设计
相关技术资料- 4-21集成电路可靠性设计的主要内容
- 相关IC型号
- CL2263
- CL220YGCTS
公网安备44030402000607
