在由7射线、X射线及高能CL6807粒子辐照的环境中，当辐照粒子穿过物质和原子的电子相互作用时，使电子脱离原子轨道产生电子一空穴对，可导致康普顿效应和光电效应等，使绝缘材料的电导率升高，或引起材料发生化学性质和分子结构的变化。质子也产生电离，高能核粒子也会产生位移破坏和电离，电离效应又可分为总剂量效应、剂量效应和单粒子效应等3种情况，对MOS和双极器件或材料的表面性能产生影响，也可使器件或电路产生光电流，引起电路扰动，严重时引起器件闭锁或烧毁。电离在半导体和绝缘体中产生了电子一空穴对，这可使半导体和绝缘体之间的界面俘获电荷。这一机理对硅器件非常重要，但对化合物半导体则没那么重要。

               
    X射线或低能y射线射人不同原子序数材料组成的界面时，在界面较低原子序数材料内将产生剂量增强，这种剂量增强效应与射线方向无关。
    电子元器件的抗辐射性能与材料、工艺及系统的屏蔽情况有关，例如，7射线会使电阻器的绝缘材料发生电离形成泄漏通道，使电阻器发生变化。不同的电子元器件类别在不同的辐照下的容限不同，例如，电阻器在不同的辐照下的容限分别为：Y射线应小于l06 rad(si)；中子应小于losnvt；质子应小于l013 pl cmz。不同的电阻器类型耐辐照剂量性能区别很大（见表1.29。微电子器件对各种辐射都很敏感，如双极犁器件，辐射损伤使少子寿命下降，从而使^ FE降低甚至失效；对于高压器件，辐射也使载流子浓度下降，V ces增大，LCO上升。