为了使电子元器件能经受SGM2022-MYN6/TR不同机械应力级别的考验，设计时应把抗力学破坏的设计作为一个重要内容加以考虑。除了选择高强度坚硬无损材料外，变结合体为一体，减少自由运动、减少质量、加强结合部位强度、减少或消除悬空结构，控制共振，使电子元器件的固有振动频率远离使用时的振动频率等设计均可达到控制力学失效模式的目的。

           
    产品承受机械应力的力学具体计算公式和经验数据应参考相关专业资料。常用的金丝直径、铝丝直径与破坏强度的关系、内引线直径与最低键合强度的关系，分别见表1. 24，表1.25和表1.26[10]。从表1.24，表1.25可见，相同直径的金丝与铝丝（未退火），铝丝的抗力学破坏强度比金丝大2.5～2.7倍；从表1. 26可知，相同直径的内引线，金丝的键合强度要比铝丝高1. 25～1.3倍。可见，为提高电子元器件的抗力学破坏强度，合理选择材料也是非常重要的。