如图2. 57所示，在P阱和PMOS管的P十漏区之间，安排一个W19B320ATT7H接地的由P阱和P+组成的区域，这个区域被称为收集极，又称为少数载流子（简称少子）保护环。用它来提前收集那些会引起闭锁的注入少数载流子。它可以收集由横向PNP管发射极注入的少子——空穴，相当于横向PNP管的收集极，故又称伪集电极。少子不会被P阱所收集，从而有效地减小了pPNP。

    图2. 58所示是N阱CMOS电路中的伪集电极。也是在N阱与nMOS管的N+漏区之间制作一个接电源VDD的由N阱和N1组成的区域，它可以收集由横向NPN管发射极注入到基区（P型衬底）的电子（少子），起到集电极的作用，从而有效地减小了pNPN。