耗尽型MOS管在结构上与增强型MOS管相似，其不同点仅在于衬底靠近栅极附近存在着原导电沟道，因此，只要加上UD。电压，即使UGS =0，管子也能导通，形成io。其图形符号中D极与S极间用实线相连（增强型为断续线），即表明当UGs =0时导电沟道已形成。BCM21553KFFBG    

    以N沟道耗尽型MOS管为例，其转移特性和输出特性如图1- 39所示。

    由图1- 39可见，当UDS -定，UG。由零增大时，iD相应增大；反之，当Ucs由零向负值方向增大时，iD相应减小。iD =0时所对应的UG。称为夹断电压，用U。表示。实际上，夹断电压也可理解为导电沟道开始形成时的开启电压。
    主要参数
    (1)开启电压UT
    指当UDS为定值时，使增强型场效应管开始导通时的UG。值。N沟道管的UT为正值，P沟道管的UT为负值。
    (2)夹断电压U。
    指当U DS为定值时，使耗尽型场效应管i。减小到近似为零时的UGS值。N沟道管的Up为负值，P沟道管的Up为正值。
    (3)饱和漏极电流IDSS
    指当ucs一o，且UDS >U，时，耗尽型场效应管所对应的漏极电流。
    (4)跨导gm

    指当U DS为定值时，iD的变化量与UCS的变化量之比。
   
    gm值的大小反映了栅源电压UG。对漏极电流iD的控制能力。
    gm的单位是S（西门子）或mS。