加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系称为二极管的伏安特性，利用晶体管特性图示仪可以很方便地测出二极管的伏安特性曲线，如图1-9所示。AD8138ARZ   

    (1)正向特性
    正向特性曲线如图1-9中第一象限所示。
    在起始阶段(OA)，外加正向电压很小，二极管呈现的电阻很大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为死区。使二极管开始导通的临界电压称为开启电压，通常用U。。表示，一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.2 V。
    当正向电压超过开启屯压后，电流随电压的上升迅速增大，二极管电阻变得很小，进入正向导通状态。AB段曲线较陡直，电压与电流的关系近似为线性，AB段称为导通区。导通后二极管两端的正向电压称为正向压降（或管压降），这个电压比较稳定，几乎不随流过的电流大小而变化。一般硅二极管的正向压降约为0.7 V，锗二极管的正向压降约为0.3 V。
    (2)反向特性
    反向特性曲线如图1-9第三象限所示。
    二极管加反向电压时，在起始的一段范围内(OC)，只有很少的少数载流子，也就是很小的反向电流，且不随反向电压的增加而改变，称为反向饱和电流或反向漏电流。OC段称反向截止区。一般硅管的反向电流为0.1肛A，锗管为几十微安。
    注意：反向饱和电流随温度的升高而急剧增加，硅管的反向饱和电流要比锗管的反向饱和电流小。在实际应用中，反向电流越小，二极管的质量越好。
    当反向电压增大到超过某一值时（图1-9中C点），反向电流急剧增大，这一现象称为反向击穿，所对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示。反向击穿有两种类型：
    ①电击穿：PN结未损坏，断电即恢复。
    ②热击穿：PN结烧毁。
    电击穿是可逆的，反向电压降低后二极管仍恢复正常。因此，电击穿往往被人们所利用

如稳压管）。而热击穿则是电击穿时没有采取适当的限流措施，导致电流大，电压高，使管子过热造成永久性损坏。因此，工作时应避免二极管的热击穿。
   
    1)理想二极管
    理想二极管伏安特性如图1 - lO(a)所示，符号及等效模型如图1- 10 (b)，(c)所示。

    2)实际二极管
    实际二极管伏安特性如图1- 11所示。二极管正向工作电压：硅管为0. 6～0.7 V，锗管为0.2～0.3 V。