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晶体管内部电容

发布时间:2011/12/17 10:42:51 访问次数:3263

     在高频率时,耦合和旁路电容器变成实质上交流短路,M10S0210-072而不会影响放大器的响应。不过此时晶体管内部结电容开始产生影响,当信号频率增加,会使放大器的增益降低,并且引起相位差。
    图10.3所示为BJT和JFET的内部PN结电容。在BJT的情形下,Cbc是基极一发射极结电容,而Cbc是基极一集电极结电容。在JFET的情况下,Cgs是栅极和源极之间的电容,而是Cgd栅极和漏极之间的电容。

                      
    特性数据表上通常将BJT电容Cbc称为输出电容,标示为Cob,电容Cbe通常标示为输入电容Cib。FET特性数据表上通常指为输入电容Ciss,以及反向转换电容(reverse transfer capacitance) Crss。利用这些电容值,可以计算出Cgs和Cgd。
    频率较低时,内部电容的容抗值相当高,M10S0210-072这是因为它们的电容值很低(通常只有几皮法)以及频率偏低的缘故。所以它们看起来像开路,而且对晶体管的效能没有影响。当频率增加,晶体管内部容抗随着降低,在某个频率,它们开始对晶体管的增益产生明显的影响。当Cbe(或Cgs)的容抗值变得足够小时,由于信号源内阻与Cbe的容抗值所产生的分压器效应,大部分的信号电压会消耗在信号源内阻上,而不会出现在基极,如图10.4(a)所示。当Cbc(或Cgd)的容抗值变得足够小时,则大部分的输出电压不会出现在负载电阻上,而是与输入信号反相地反馈(负反馈)到输入端,因此有效地降低电压增益。如图10. 4(b)所示。

                

     在高频率时,耦合和旁路电容器变成实质上交流短路,M10S0210-072而不会影响放大器的响应。不过此时晶体管内部结电容开始产生影响,当信号频率增加,会使放大器的增益降低,并且引起相位差。
    图10.3所示为BJT和JFET的内部PN结电容。在BJT的情形下,Cbc是基极一发射极结电容,而Cbc是基极一集电极结电容。在JFET的情况下,Cgs是栅极和源极之间的电容,而是Cgd栅极和漏极之间的电容。

                      
    特性数据表上通常将BJT电容Cbc称为输出电容,标示为Cob,电容Cbe通常标示为输入电容Cib。FET特性数据表上通常指为输入电容Ciss,以及反向转换电容(reverse transfer capacitance) Crss。利用这些电容值,可以计算出Cgs和Cgd。
    频率较低时,内部电容的容抗值相当高,M10S0210-072这是因为它们的电容值很低(通常只有几皮法)以及频率偏低的缘故。所以它们看起来像开路,而且对晶体管的效能没有影响。当频率增加,晶体管内部容抗随着降低,在某个频率,它们开始对晶体管的增益产生明显的影响。当Cbe(或Cgs)的容抗值变得足够小时,由于信号源内阻与Cbe的容抗值所产生的分压器效应,大部分的信号电压会消耗在信号源内阻上,而不会出现在基极,如图10.4(a)所示。当Cbc(或Cgd)的容抗值变得足够小时,则大部分的输出电压不会出现在负载电阻上,而是与输入信号反相地反馈(负反馈)到输入端,因此有效地降低电压增益。如图10. 4(b)所示。

                

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