旁路电容器
发布时间:2011/12/17 10:38:37 访问次数:671
在较低频率时，如图10.1中的C2发射极旁路电容器的容抗已经变得不可忽略，PCI9052发射极（或FET源极端）不再是交流接地。容抗XC2与RE(或Rs)并联产生的阻抗会使增益值降低。如图10.2所示。
例如当频率足够高时，XC≈0Ω，且共发射极放大器的电压增益是Av=Rc/re'。在较低频率时，Xc》0Ω，此时电压增益是Av= RC/(re+Ze)。
在较低频率时，如图10.1中的C2发射极旁路电容器的容抗已经变得不可忽略，PCI9052发射极（或FET源极端）不再是交流接地。容抗XC2与RE(或Rs)并联产生的阻抗会使增益值降低。如图10.2所示。
例如当频率足够高时，XC≈0Ω，且共发射极放大器的电压增益是Av=Rc/re'。在较低频率时，Xc》0Ω，此时电压增益是Av= RC/(re+Ze)。
相关技术资料- 9-21供应链管理实际就是生产物料管理
- 12-17旁路电容器
热门点击
- NPN型三极管各电极电压与电流的关系
- 图解电阻分压电路结构
- 电气设备绝缘水平的确定
- 变容二极管它的结电容值会随着反向偏压而改变
- 集成运放反相器电路
- 闭路电视的安装
- 放大电路的非线性失真
- 漏电保护器的接线
- N型与P型半导体
- 推挽式MOSFET放大器
推荐技术资料
- 泰克新发布的DSA830
- 泰克新发布的DSA8300在一台仪器中同时实现时域和频域分析，DS... [详细]
公网安备44030402000607
