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晶体振荡器具有非常高的频率稳定度

发布时间:2011/11/10 11:12:16 访问次数:3524

      晶体具有压电效应,其固有谐振频率十分稳定,因此晶体振荡器具有非常高的频率稳定度。根据晶体在电路中的作用形式,常用的晶体振荡器可分为并联晶体振荡器和串联晶体振荡器两类。
    (1)并联晶体振荡器
    并联晶体振荡器电路如图9-63所示。晶体B作为反馈元件,TB6819FG并联于晶体管VT的集电极与基极之间。R1、R2为晶体管VT的基极偏置电阻,R3为集电极电阻,R4为发射极电阻。C1为基极旁路电容。

                   
    从如图9-64所示交流等效电路可见,这是一个电容三点式振荡器。晶体B在这里等效为一个电感元件使用,与振荡回路电容C2. C3一起组成并联谐振回路,共同决定电路的振荡频率。

                      

      并联晶体振荡器稳频原理如下:因为晶体的电抗曲线非常陡峭,可等效为一个随频率有很大变化的电感。当由于温度、分布电容等因素使振荡频率降低时,晶体的等效电感量就会迅速减小,迫使振荡频率回升;反之,则做反方向调整,最终使得振荡器具有很高的频率稳定度。
    (2)串联晶体振荡器
    串联晶体振荡器电路如图9-65所示。晶体管VT1、VT2组成丽级阻容耦合放大器。晶体B与C2串联后作为两级放大器的反馈网络。R1、R3分别为VT1、VT2的基极偏置电阻,R2、R4分别为VT1、VT2的集电极负载电阻。C1为两管间的耦合电容,C3为振荡器输出耦合电容。

                            
    串联晶体振荡器的交流等效电路如图9-66所示。因为两级放大器的输出电压(VT2的集电极电压)与输入电压(VT1的基极电压)同相,晶体B在这里等效为一个纯电阻使用,将VT2的集电极电压反馈到VT1的基极,构成正反馈电路。电路振荡频率由晶体的固有串联谐振频率决定。
    串联晶体振荡器稳频原理如下:因为晶体的固有谐振频率非常稳定,在反馈电路中起着带通滤波器的作用。当电路频率等于晶体的串联谐振频率时,晶体呈现为纯电阻,实现正反馈,屯路振荡。当电路频率偏离晶体的串联谐振频率时,晶体将不再是纯电阻(呈现感抗或容抗),破坏了振荡的相位条件。因此,振荡频率只能等于晶体的固有串联谐振频率。

                 


 

      晶体具有压电效应,其固有谐振频率十分稳定,因此晶体振荡器具有非常高的频率稳定度。根据晶体在电路中的作用形式,常用的晶体振荡器可分为并联晶体振荡器和串联晶体振荡器两类。
    (1)并联晶体振荡器
    并联晶体振荡器电路如图9-63所示。晶体B作为反馈元件,TB6819FG并联于晶体管VT的集电极与基极之间。R1、R2为晶体管VT的基极偏置电阻,R3为集电极电阻,R4为发射极电阻。C1为基极旁路电容。

                   
    从如图9-64所示交流等效电路可见,这是一个电容三点式振荡器。晶体B在这里等效为一个电感元件使用,与振荡回路电容C2. C3一起组成并联谐振回路,共同决定电路的振荡频率。

                      

      并联晶体振荡器稳频原理如下:因为晶体的电抗曲线非常陡峭,可等效为一个随频率有很大变化的电感。当由于温度、分布电容等因素使振荡频率降低时,晶体的等效电感量就会迅速减小,迫使振荡频率回升;反之,则做反方向调整,最终使得振荡器具有很高的频率稳定度。
    (2)串联晶体振荡器
    串联晶体振荡器电路如图9-65所示。晶体管VT1、VT2组成丽级阻容耦合放大器。晶体B与C2串联后作为两级放大器的反馈网络。R1、R3分别为VT1、VT2的基极偏置电阻,R2、R4分别为VT1、VT2的集电极负载电阻。C1为两管间的耦合电容,C3为振荡器输出耦合电容。

                            
    串联晶体振荡器的交流等效电路如图9-66所示。因为两级放大器的输出电压(VT2的集电极电压)与输入电压(VT1的基极电压)同相,晶体B在这里等效为一个纯电阻使用,将VT2的集电极电压反馈到VT1的基极,构成正反馈电路。电路振荡频率由晶体的固有串联谐振频率决定。
    串联晶体振荡器稳频原理如下:因为晶体的固有谐振频率非常稳定,在反馈电路中起着带通滤波器的作用。当电路频率等于晶体的串联谐振频率时,晶体呈现为纯电阻,实现正反馈,屯路振荡。当电路频率偏离晶体的串联谐振频率时,晶体将不再是纯电阻(呈现感抗或容抗),破坏了振荡的相位条件。因此,振荡频率只能等于晶体的固有串联谐振频率。

                 


 

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