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绝缘栅双极晶体管IGBT在实际应用中要采取哪些保护措施?

发布时间:2011/9/5 11:44:43 访问次数:1253

    IGBT在实际应用中常用的保护措施如下。      A2917SEB 
    ①过流保护。通过检测出的过电流信号切断控制极信号,使IGBT关断。
    ②过压保护。设置吸收电路可抑制过电压并限制电压上升率du/dt。
    ③过热保护。利用温度传感器检测出IGBT的壳温,当超过允许值时令主电路跳闸。
    下面重点介绍两种过流保护电路,如图7-28所示。
    图7-28(a)电路中,当流过IGBT的电流ID超过一定值时,电阻RE上的电压足以触发晶闸管VT使之导通,从而把输入信号短路,IGBT失去栅压而关断。该电路不足之处是RE上要消耗能量。图7-28 (b)是以霍尔传感器代替了RE,克服了上述电路的缺点。

               

    IGBT在实际应用中常用的保护措施如下。      A2917SEB 
    ①过流保护。通过检测出的过电流信号切断控制极信号,使IGBT关断。
    ②过压保护。设置吸收电路可抑制过电压并限制电压上升率du/dt。
    ③过热保护。利用温度传感器检测出IGBT的壳温,当超过允许值时令主电路跳闸。
    下面重点介绍两种过流保护电路,如图7-28所示。
    图7-28(a)电路中,当流过IGBT的电流ID超过一定值时,电阻RE上的电压足以触发晶闸管VT使之导通,从而把输入信号短路,IGBT失去栅压而关断。该电路不足之处是RE上要消耗能量。图7-28 (b)是以霍尔传感器代替了RE,克服了上述电路的缺点。

               

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