晶闸管电流保护
发布时间:2011/9/5 11:38:21 访问次数:3370
(一)如何对晶闸管进行过电流保护? PCA9633D16
晶闸管产生过电流的原因很多,如负载端过载或短路,电路中某个晶闸管被击穿短路,可逆系统中产生环流过大或逆变失败,或某一晶闸管的控制极受干扰信号误触发而导通等,都会引起过电流产生。晶闸管允许过电流的时间短,例如一个100A的晶闸管,过电流为200A时,允许持续时间为5s,而过电流为400A时,仅允许持续时间为0.02s,否则会因过热而损坏。因此,晶闸管电路中需要采取保护措施,当发生过电流时,能够快速地在允许时间内将电流切断。如无保护措施,晶闸管会因过热而损坏,可以根据实际情况选择其中一种或数种,作为晶闸管装置的过电流保护。
安装快速熔断器是晶闸管过流保护的主要措施之一。快速熔断器采用银质熔丝,其熔断时间比普通熔丝短得多。快速熔断器的额定电流IFV是以有效值标称的,而晶闸管的额定电流是以平均值IF标称的。选用快速熔断器时,一般可按IFV=1.57IF来选择。
快速熔断器可以接在电路中的交流一侧,对输出端短路和元件短路均起到保护作用;也可以接在直流一侧,但只对输出端过载和短路起保护作用,对晶闸管本身短路不起保护作用;第三种接法是直接与晶闸管串联。后两种接法一般需要同时采用。快速熔断器的接入方式如图7-25所示。
在电路中装设快速过流继电器或设置过流截止保护电路等,也都是常用的过流保护方法。
(二)如何对晶闸管进行过电压保护?
晶闸管有许多优点,但过电压能力差,而在电路的交流侧和直流侧因种种原因,经常产生过电压,引起过电压的主要原因是电路中含有电感元件,在接通和切断电路、熔断器熔断、晶闸管由导通变为阻断时出现自感电动势以及雷电都可能产生过电压,所以要进行过电压保护。
晶闸管的过电压保护措施,通常采用阻容吸收装置或硒堆保护装置,如图7-26所示。阻容吸收装置是利用电容来吸收过电压,将引起过电压的磁场能量变成电场能量储存在电容器中,然后电容器通过电阻放电,把能量消耗在电阻上。阻容吸收装置可并联在晶闸管电路的交流侧、直流侧或器件侧。
对于能量较大、持续时间较长的过电压可采用硒堆保护装置。硒堆是一种半导体整流元件,它有类似稳压管的性能,具有较陡的反向特性。当硒堆上电压超过某一数值时,它的电阻迅速减小,而且可以通过较大的电流,把过电压消耗在非线性电阻上。
阻容吸收装置和硒堆保护装置可根据电路实际需要,采用相应的接入方式。
(三)晶闸管在工作中过热,是哪些原因引起的?
从发热和冷却两方面找原因,主要有以下几点:
①晶闸管过裁。
②通态平均电压,即管压降偏大。
③控制极触发功率偏高。
④晶闸管与散热器接触不良。
⑤环境温度和冷却介质温度偏高。
⑥冷却介质流速过低。
(四)晶闸管在运行中烧坏的原因有哪些? PCA9551D
晶闸管在运行中烧坏的主要原因有:
①长期过热。
②输出端短路过电流保护失去作用。
③晶闸管并联运行时,因正向特性不一致,管压降小的晶闸管分担电流较大而易烧坏;如果有一只先导通,则因通过全部负载电流而烧坏。一只烧坏,增加了其余晶闸管的负担,如不及时停止运行,就会产生连锁反应,直到并联的晶闸管全部烧坏为止。
解决的办法是:
尽量选用特性一致的晶闸管;
采用强触发,触发脉冲前沿要陡、幅值要大,确保开通时间一致;
要有可靠的均流措施。
④晶闸管串联运行时,因特性不一致,在阻断状态下漏电流小的晶闸管分担的电压较大而易击穿损坏;如果导通时间不一致,最后导通的晶闸管因承受全部电压而损坏。解决的办法是:尽量选用特性一致的晶闸管,采用强触发和可靠的均压措施。
⑤晶闸管用于交流调压,反并联的两只晶闸管工作不对称,在回路中有直流分量通过,使其中一只晶闸管过载,严重不对称时,将烧坏晶闸管。
⑥通态电流上升率di/dt超过晶闸管的额定值。晶闸管触发导通后,首先在控制极附近形成导通区,随着时间昀推移,逐渐扩大,直到全部结面导通,如图7-27所示。如果电流上升太快,过大的电流集中在控制极附近的小区域内通过,会造成局部过热而使晶闸管损坏。限制电流上升率避免晶闸管损坏的有效措施是在晶闸管的回路中串入电抗器,实际应用中,常在引线上套上小磁环,其电感量为20~30μH。
(一)如何对晶闸管进行过电流保护? PCA9633D16
晶闸管产生过电流的原因很多,如负载端过载或短路,电路中某个晶闸管被击穿短路,可逆系统中产生环流过大或逆变失败,或某一晶闸管的控制极受干扰信号误触发而导通等,都会引起过电流产生。晶闸管允许过电流的时间短,例如一个100A的晶闸管,过电流为200A时,允许持续时间为5s,而过电流为400A时,仅允许持续时间为0.02s,否则会因过热而损坏。因此,晶闸管电路中需要采取保护措施,当发生过电流时,能够快速地在允许时间内将电流切断。如无保护措施,晶闸管会因过热而损坏,可以根据实际情况选择其中一种或数种,作为晶闸管装置的过电流保护。
安装快速熔断器是晶闸管过流保护的主要措施之一。快速熔断器采用银质熔丝,其熔断时间比普通熔丝短得多。快速熔断器的额定电流IFV是以有效值标称的,而晶闸管的额定电流是以平均值IF标称的。选用快速熔断器时,一般可按IFV=1.57IF来选择。
快速熔断器可以接在电路中的交流一侧,对输出端短路和元件短路均起到保护作用;也可以接在直流一侧,但只对输出端过载和短路起保护作用,对晶闸管本身短路不起保护作用;第三种接法是直接与晶闸管串联。后两种接法一般需要同时采用。快速熔断器的接入方式如图7-25所示。
在电路中装设快速过流继电器或设置过流截止保护电路等,也都是常用的过流保护方法。
(二)如何对晶闸管进行过电压保护?
晶闸管有许多优点,但过电压能力差,而在电路的交流侧和直流侧因种种原因,经常产生过电压,引起过电压的主要原因是电路中含有电感元件,在接通和切断电路、熔断器熔断、晶闸管由导通变为阻断时出现自感电动势以及雷电都可能产生过电压,所以要进行过电压保护。
晶闸管的过电压保护措施,通常采用阻容吸收装置或硒堆保护装置,如图7-26所示。阻容吸收装置是利用电容来吸收过电压,将引起过电压的磁场能量变成电场能量储存在电容器中,然后电容器通过电阻放电,把能量消耗在电阻上。阻容吸收装置可并联在晶闸管电路的交流侧、直流侧或器件侧。
对于能量较大、持续时间较长的过电压可采用硒堆保护装置。硒堆是一种半导体整流元件,它有类似稳压管的性能,具有较陡的反向特性。当硒堆上电压超过某一数值时,它的电阻迅速减小,而且可以通过较大的电流,把过电压消耗在非线性电阻上。
阻容吸收装置和硒堆保护装置可根据电路实际需要,采用相应的接入方式。
(三)晶闸管在工作中过热,是哪些原因引起的?
从发热和冷却两方面找原因,主要有以下几点:
①晶闸管过裁。
②通态平均电压,即管压降偏大。
③控制极触发功率偏高。
④晶闸管与散热器接触不良。
⑤环境温度和冷却介质温度偏高。
⑥冷却介质流速过低。
(四)晶闸管在运行中烧坏的原因有哪些? PCA9551D
晶闸管在运行中烧坏的主要原因有:
①长期过热。
②输出端短路过电流保护失去作用。
③晶闸管并联运行时,因正向特性不一致,管压降小的晶闸管分担电流较大而易烧坏;如果有一只先导通,则因通过全部负载电流而烧坏。一只烧坏,增加了其余晶闸管的负担,如不及时停止运行,就会产生连锁反应,直到并联的晶闸管全部烧坏为止。
解决的办法是:
尽量选用特性一致的晶闸管;
采用强触发,触发脉冲前沿要陡、幅值要大,确保开通时间一致;
要有可靠的均流措施。
④晶闸管串联运行时,因特性不一致,在阻断状态下漏电流小的晶闸管分担的电压较大而易击穿损坏;如果导通时间不一致,最后导通的晶闸管因承受全部电压而损坏。解决的办法是:尽量选用特性一致的晶闸管,采用强触发和可靠的均压措施。
⑤晶闸管用于交流调压,反并联的两只晶闸管工作不对称,在回路中有直流分量通过,使其中一只晶闸管过载,严重不对称时,将烧坏晶闸管。
⑥通态电流上升率di/dt超过晶闸管的额定值。晶闸管触发导通后,首先在控制极附近形成导通区,随着时间昀推移,逐渐扩大,直到全部结面导通,如图7-27所示。如果电流上升太快,过大的电流集中在控制极附近的小区域内通过,会造成局部过热而使晶闸管损坏。限制电流上升率避免晶闸管损坏的有效措施是在晶闸管的回路中串入电抗器,实际应用中,常在引线上套上小磁环,其电感量为20~30μH。
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