1．霍尔元器件
    基于霍尔效应原理工作的半导体元器件称为霍尔元器件。目前最常用的霍尔元器件材料是锗(Ge)、硅(Si)、锑化铟(InSb)和砷化铟(InAs)等半导体材料。其中N形锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能与N形硅相似，都较好，输出特性线性度也较好。锑化铟
对温度最敏感，尤其在低温范围内，温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的翟尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。不同霍尔元器件材料适用于不同的要求和应用场合，一般来说采用锑化铟作为敏感元器件比较合适；一般测量指示仪表中，大多采用锗和砷化铟元器件。
    霍尔元器件由霍尔片、引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片(一般为4mmx2mmXO.l mm)，在它的长度方向两端面上焊有两根引线，控制电流端引线，通常用红色导线。其焊接处称为控制电流极（或称激励电极），要求焊接处接触电阻很小，而且呈纯电阻性质（欧姆接触）。在薄片另一端面的中间以点的形式对称地焊有两根霍尔输出端引线，通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔电极，要求欧姆接触且电极宽度与长度之比要小于0.1，否则影响输出。霍尔元器件的壳体是用非导磁金属陶瓷或环氧树脂封装。
    霍尔元器件的电磁特性包括控制电流（直流或交流）与霍尔输出电势之间的关系，即U_H一I特性；霍尔输出与磁场（恒定或交变）之间的关系，即U_H -B特性；元器件的输入或输出电阻与磁场之间的关系，即R-B特性。下面加以简单介绍。
    在磁场和环境温度一定时，霍尔输出电动势UH与控制电流，有良好的线性关系，其直线的斜率称为控制电流灵敏度，以符号K_I表示K_I= K_HB，
    在控制电流恒定时，霍尔元器件的开路霍尔输出随磁感应强度的增加并不完全呈线性关系，只有当元器件工作在0.5T以下时，线性度才比较好。
    实验得出，霍尔元器件的内阻随磁场的绝对值增加而增加，这种现象称为磁阻效应。