如图6-66所示，一块长为L、宽为b、厚度为d的金属或半导体薄片，放置于磁感应强度B的磁场（磁场方向垂直于薄片）中。当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH（霍尔电动势），这种现象称为霍尔效应。

    假设薄片为N形半导体，在其左右两端通以电流I（称为控制电流），那么半导体中的载流子（电子）将沿着与电流，相反的方向运动。由于外礅场B的作用，使电子受到磁力F_L（洛仑兹力）而发生偏转，结果在半导体的后端面上电子有所积累，前端面缺少电子，因此后端面带负电，前端面带正电，在前、后端面间形成电场。该电场产生的电场力FE阻止电子继续偏转。当电场作用在运动电子上的电场力F_E与洛仑兹力F_L相等时，电子的积累便达到动态平衡。这时，在半导体前、后两端面之间（即垂直于电流和磁场方向）建立电场，称为霍尔电场EH，相应的电势就称为霍尔电势UH。
                                  U_H=R_H×IB/d           ( 6-34)
式中，R_H称为霍尔系数。