AT27BV400是高可靠性的CMOS技术吗?
发布时间:2011/7/11 14:15:11 访问次数:511
AT27BV400 4Mbit(256k x16bit或 512k x8bit)未调 Battery-VoltageTM高速OTP EPROM电路的基本特性:
1) 快速读存取时间为120ns;
2) 可配置宽字和宽字节;
3) 双电匝范围内操作,未调电池的电压范围为2.7—3. 6V或标准(5士l0%)V供应范围;
4) 兼容4Mbit闪速存储器和掩模ROM;
5) 低功耗CMOS操作,20μA待机最大值,(lOmA最大值在5MHz时激活,用于Vcc=3.6V;
6) JEDEC标准封装;
7) 高可靠性的CMOS技术,2000V ESD保护和200mA闭锁抗扰;
8) RapidTM可编程算法为50μs/B(典型值);
9) CMOS和TTL兼容输入和输出,JEDEC标准用作LVTTL和LVBO;
10)商用业级和工业级温度范围;
11)集成的产品标识代码。
AT27BV400 4Mbit(256k x16bit或 512k x8bit)未调 Battery-VoltageTM高速OTP EPROM电路的基本特性:
1) 快速读存取时间为120ns;
2) 可配置宽字和宽字节;
3) 双电匝范围内操作,未调电池的电压范围为2.7—3. 6V或标准(5士l0%)V供应范围;
4) 兼容4Mbit闪速存储器和掩模ROM;
5) 低功耗CMOS操作,20μA待机最大值,(lOmA最大值在5MHz时激活,用于Vcc=3.6V;
6) JEDEC标准封装;
7) 高可靠性的CMOS技术,2000V ESD保护和200mA闭锁抗扰;
8) RapidTM可编程算法为50μs/B(典型值);
9) CMOS和TTL兼容输入和输出,JEDEC标准用作LVTTL和LVBO;
10)商用业级和工业级温度范围;
11)集成的产品标识代码。