AT27BV010是可擦可编程只读存储器吗?
发布时间:2011/7/11 14:08:34 访问次数:548
AT27BV010 1Mbit(128k×8bit)末调Battery-VoltageTM OTP CMOS可擦可编程只读存储器( EPROM)电路的基本特性:
1) 快速读存取时间为70ns;
2) 双电压范围内操作,未调电池的电压范围为2.7—3. 6V或标准(5士10%)V供应范围;
3) 兼容JEDEC标准的AT27C010 ;
4) 低功耗CMOS操作,20μA待机最大值(小于典型值lμA)用于Vcc=3.6V,29mW最大值在5MHz时激活,用于Vcc=3.6V;
5) JEDEC标准封装;
6) 高可靠性的CMOS技术,2000V ESD保护和200mA闭锁抗扰;
7) RapidTM可编程算法为100μs/B(典型值);
8) CMOS和TTL兼容输入和输出,JEDEC标准用作LVTTL和LVBO;
9) 商业级和工业级温度范围;
10)集成的产品标识代码。
AT27BV010 1Mbit(128k×8bit)末调Battery-VoltageTM OTP CMOS可擦可编程只读存储器( EPROM)电路的基本特性:
1) 快速读存取时间为70ns;
2) 双电压范围内操作,未调电池的电压范围为2.7—3. 6V或标准(5士10%)V供应范围;
3) 兼容JEDEC标准的AT27C010 ;
4) 低功耗CMOS操作,20μA待机最大值(小于典型值lμA)用于Vcc=3.6V,29mW最大值在5MHz时激活,用于Vcc=3.6V;
5) JEDEC标准封装;
6) 高可靠性的CMOS技术,2000V ESD保护和200mA闭锁抗扰;
7) RapidTM可编程算法为100μs/B(典型值);
8) CMOS和TTL兼容输入和输出,JEDEC标准用作LVTTL和LVBO;
9) 商业级和工业级温度范围;
10)集成的产品标识代码。