雪崩光电探测器结构和能带
发布时间:2008/12/3 0:00:00 访问次数:642
在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用inp基材料。在inp衬底上生长ingaasp，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的ingaasp/inp雪崩光电探测器结构和能带示意图lzii。在p＋-inp上生长n-ingaasp，再通过衬底注入锌形成ingaasp的pn结，最后覆盖一层n-inp。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻，阻止了光生载流子向表面扩散引起的复合。
图1 ingaasp/inp雪崩光电探测器结构和能带
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在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用inp基材料。在inp衬底上生长ingaasp，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的ingaasp/inp雪崩光电探测器结构和能带示意图lzii。在p＋-inp上生长n-ingaasp，再通过衬底注入锌形成ingaasp的pn结，最后覆盖一层n-inp。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻，阻止了光生载流子向表面扩散引起的复合。
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