载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使apd噪声显著增加，特别是当倍增区的禁带宽度较窄时，这种隧穿电流变得相当可观，严重影响了apd的噪声特性。为了减小这种隧穿电流，人们设计了一种将吸收区和倍增区分开（separate absorption and multiplication，sam）的雪崩二极管，如图1（a）所示囫。和图1（a）一样，该结构表面也是一层透明的inp层，所不同的是它含有inp的pn结，同时只含一层ingaasp吸收层并无ingaasp的pn结。其电场分布如图1（b）所示，我们发现inp pn结区域电场最大，而ingaasp层的电场较小。因此在ingaasp中只吸收入射光产生光生载流子并不发生雪崩电离效应，只有当光生载流子被耗尽区电场扫向inp pn结区域时才在强电场作用下发生雪崩倍增效应。由于隧穿电流随禁带宽度的增加呈指数下降，inp的禁带宽度大于ingaasp禁带宽度，所以这种结构的隧穿电流大大减小了。

　　图1 sam-apd

　　欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）