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硅-硅直接键合杂质分布模型

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:381

硅-硅直接键合杂质分布模型

在键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先对硅片进行表面处理，使表面生成一薄层本征二氧化硅以吸附oh集团，界面上的羟基（－oh）发生聚合反应生成二氧化硅，si－oh+oh－si→si－o－si+h2o。因此键合硅片界面有氧化层存在。实验证明，氧化层厚度在200－600℃范围内随温度升高而降低，600-1200℃范围内，厚度恒定[2] 。因此，

硅-硅直接键合杂质分布模型

在键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先对硅片进行表面处理，使表面生成一薄层本征二氧化硅以吸附oh集团，界面上的羟基（－oh）发生聚合反应生成二氧化硅，si－oh+oh－si→si－o－si+h2o。因此键合硅片界面有氧化层存在。实验证明，氧化层厚度在200－600℃范围内随温度升高而降低，600-1200℃范围内，厚度恒定[2] 。因此，

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