位置：51电子网 » 技术资料 » 其它综合

杂质通过SiO2扩散模型的修正

发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:292

为了说明杂质在两种材料的界面的扩散的过程，首先研究两个半无限的sio2和si在界面处的扩散，如图图3.3所示。假设杂质在sio2中均匀分布，初始浓度为n0，在si中的浓度为0，可以得出杂质在二氧化硅中的分布[12]：

图3.3 sio2和si

为了说明杂质在两种材料的界面的扩散的过程，首先研究两个半无限的sio2和si在界面处的扩散，如图图3.3所示。假设杂质在sio2中均匀分布，初始浓度为n0，在si中的浓度为0，可以得出杂质在二氧化硅中的分布[12]：

图3.3 sio2和si

-->
相关技术资料
7-21EVL250WMG1L谐振转换器应用分析
7-21​STGWA30IH160DF2 IGBT应用前景
7-21集成​半桥 MOSFET 驱动器应用详解
7-21​全新AI操作系统One UI 7​系列
7-21全新空间音频标准—Eclipsa Audio
7-21​RISC-V MCU+接口技术探究
7-18​STGWA30IH160DF2 IGBT应用前景简述
7-18​最新一代低功耗内存LPDDR6标JESD209-6
7-18​EMI CISPR25 CLASS 5标准应用探究
7-18​Android 和Linux OS优势特征
7-18汽车混合信号微控制器​​MSPM0G351X-Q1
7-184A，6A 3KVRMS双通道隔离的闸门驱动器
相关IC型号

热门点击

 

推荐技术资料

罗盘误差及补偿
    造成罗盘误差的主要因素有传感器误差、其他磁材料干扰等。... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线：13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功！