杂质通过SiO2扩散模型
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:301
为了说明清楚杂质通过二氧化硅扩散的问题，我们仅用最简单的情况说明。假设二氧化硅的表面浓度为恒定不变的预淀积过程，并且扩散的初始条件为二氧化硅和硅中的杂质浓度为0。
图3.2 杂质通过二氧化硅扩散模型
建立如图3.2所示的杂质通过二氧化硅扩散模型[10]，二氧化硅层的厚度为d，以c1(x,t) 和c2(x,t)分别表示在任意时刻t和位置x处杂质在二氧
为了说明清楚杂质通过二氧化硅扩散的问题，我们仅用最简单的情况说明。假设二氧化硅的表面浓度为恒定不变的预淀积过程，并且扩散的初始条件为二氧化硅和硅中的杂质浓度为0。
图3.2 杂质通过二氧化硅扩散模型
建立如图3.2所示的杂质通过二氧化硅扩散模型[10]，二氧化硅层的厚度为d，以c1(x,t) 和c2(x,t)分别表示在任意时刻t和位置x处杂质在二氧
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