在硅-硅键合过程中，为了使两抛光硅片在室温下良好地贴合在一起，先要对硅片进行表面亲水处理，使表面吸附oh集团，两硅片相接触产生氢键而互相吸引。表面处理使硅片的表面形成了一层氧化层。另外，在高温退火的过程中，界面上的羟基（－oh）发生聚合反应生成sio₂，si－oh+oh－si→si－o－si+h₂o。因此键合硅片界面有氧化层存在。k.y.ahn分别用间隙氧扩散理论、球型化理论和晶向角度的取向误差理论深入地研究了氧化层的稳定性，认为在典型的退火条件下，界面氧化层厚度恒定^[9]。实验也证明，在600-1200℃的退火温度范围内，氧化层厚度稳定 。通过高分辨率的透射电子显微镜（tem），可以清晰观察到界面氧化层的存在。

研究发现，界面氧化层中，si和o

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