杂质扩散模型
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:477
按照杂质在硅晶体中的位置的不同，杂质可以分为两类：替位型杂质和填隙型杂质。替位型杂质原子在晶体中移动时，它必须有足够的能量来克服它所处的陷阱。对于图3.1(a)所示的直接交换模式，至少要打破6个键，才能使本体原子与杂质原子交换位置。但是如果相邻的的晶格位置是一个空位，原子的交换就相当容易，因为这时只需要打破3个键。因此，如图3.1(b)所示，空位交换模式是替位型杂质的主要扩散机制之一[8]。
（a） 直接交换模式
按照杂质在硅晶体中的位置的不同，杂质可以分为两类：替位型杂质和填隙型杂质。替位型杂质原子在晶体中移动时，它必须有足够的能量来克服它所处的陷阱。对于图3.1(a)所示的直接交换模式，至少要打破6个键，才能使本体原子与杂质原子交换位置。但是如果相邻的的晶格位置是一个空位，原子的交换就相当容易，因为这时只需要打破3个键。因此，如图3.1(b)所示，空位交换模式是替位型杂质的主要扩散机制之一[8]。
（a） 直接交换模式
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