MOS晶体管的最高工作频率
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:1142
mos晶体管的最高工作频率被定义为：当对栅极输入电容cgc的充放电电流和漏源交流电流的数值相等时，所对应的工作频率为mos晶体管的最高工作频率。这是因为当栅源间输入交流信号时，由源极增加(减少)流入的电子流，一部分通过沟道对电容充(放)电，一部分经过沟道流向漏极，形成漏源电流的增量。因此，当变化的电流全部用于对沟道电容充放电时，晶体管也就失去了放大能力。
mos晶体管的最高工作频率被定义为：当对栅极输入电容cgc的充放电电流和漏源交流电流的数值相等时，所对应的工作频率为mos晶体管的最高工作频率。这是因为当栅源间输入交流信号时，由源极增加(减少)流入的电子流，一部分通过沟道对电容充(放)电，一部分经过沟道流向漏极，形成漏源电流的增量。因此，当变化的电流全部用于对沟道电容充放电时，晶体管也就失去了放大能力。
上一篇：集成电容器
上一篇：寄生电容、电容寄生效应
相关技术资料- 6-71MHz、45μA、CMOS、轨对轨运算放大器应用研究
- 6-7四通道高速数字隔离器ADuM3440
- 6-7双全桥驱动器工作原理及应用信息
- 6-7全新一代大模型 — Claude 4详解
- 6-7无线连接芯片+PMIC应用探究
- 6-7德州仪器（Texas Instruments）发展史简述
- 6-6全新CMOS图像传感器——SC1400ME
- 6-6100G/200G SerDes接口及共封装光学模块（CPO）
- 6-6晶圆级多芯片模块（WMCM）芯片封装技术
- 6-62nm 工艺及全新封装技术苹果 A20 芯片探究
- 6-6集成Arm CPU + Blackwell GPU应用详解
- 6-6Lunar Lake架构处理器技术参数描述
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
