横向PNP管、纵向PNP管的结构与特点
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:2319
横向pnp管、纵向pnp管的结构与特点
由于模拟集成电路中要应用npn-pnp互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入pnp结构的晶体管。图a 示出集成电路中的两种pnp型管。其中，横向pnp管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 npn管同时进行，不需附加工序。采用等平面隔离工艺的横向 pnp管的基本图形和结构如图6-1所示，其中心 p型发射区和外围 p型区是与普通npn管基区淡硼扩散同时完成的，而基区即为外延层。在横向pnp管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 pnp管。
纵向pnp管其结构以p型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。n型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。
横向pnp管、纵向pnp管的结构与特点
由于模拟集成电路中要应用npn-pnp互补设计以及某些偏置电路极性的要求，需要引入pnp结构的晶体管。图a 示出集成电路中的两种pnp型管。其中，横向pnp管广泛应用于有源负载、电平位移等电路中。它的制作可与普通的 npn管同时进行，不需附加工序。采用等平面隔离工艺的横向 pnp管的基本图形和结构如图6-1所示，其中心 p型发射区和外围 p型区是与普通npn管基区淡硼扩散同时完成的，而基区即为外延层。在横向pnp管中，发射区注入的少子（空穴）在基区中流动的方向与衬底平行，故称为横向 pnp管。
纵向pnp管其结构以p型衬底作集电区，集电极从浓硼隔离槽引出。n型外延层作基区，用硼扩散作发射区。由于其集电极与衬底相通，在电路中总是接在最低电位处，这使它的使用场合受到了限制，在运放中通常只能作为输出级或输出缓冲级使用。
上一篇：集成NPN的结构与寄生效应
上一篇：集成齐纳二极管和次表面齐纳管
相关技术资料- 5-26全固态锂电池领域研究及发展应用趋势
- 5-26DigiWindow光学显示技术工作原理
- 5-26电动垂直起降航空器（eVTOL）应用场景分析
- 5-26新品超高频轻量激光雷达TFA300系列
- 5-26集成4核64bit CPU、RISC-V MCU应用详情
- 5-26千机C5全新一代智能无人机表演系统详解
- 5-24全球首台1000nits激光电视探索X1 Ultra详解
- 5-24 新品4MP 图像传感器 —SC4336H
- 5-24ToF传感器工作原理及应用知识介绍
- 5-24表面贴装技术(SMT)TLSM系列特点和优势
- 5-24全新 OPPO Find X9 系列参数
- 5-24首项预测性维护国际标准正式发布
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
