在集成电路中，电容也是一个重要的元件。ic中应尽量避免使用电容器，因电容器占面积大。在双极型模拟集成电路中，集成电容器用作频率补偿以改善电路的频率特性。在mos模拟集成电路中，由于在工艺上制造集成电容比较容易，并且容易与mos器件相匹配，故集成电容得到较广泛的应用。普通pn结电容的容量较小，有较大的温度系数和寄生效应等缺点，故应用不多。在双极型和mos模拟集成电路中的电容大多采用mos结构或其相似结构。由于在mos工艺中实现的mos电容，匹配精度比电阻好，一般约为0.1%~5%，因此在d/a、a/d转换器和开关电容电路等集成电路中，往往用电容代替电阻网络。

3.2.1 双极集成电路中常用的集成电容器
mos电容器
以n+硅作为下极板的mos电容器

集成电路中mos电容

以上介绍mos电容器的电容量的大小和电容器的面积有关，与单位面积的电容即两个极板之间的氧化层的厚度有关。可以用下式计算：

真空电容率：
是二氧化硅的相对介电常数，约等于3.9，两者乘积为 ，如果极板间氧化层的厚度为80nm(0.08μm)，可以算出单位面积电容量为 ，也就是说，一个10，000μm2面积的电容器的电容只有4.3pf。

3.2.2 mos集成电路中常用的mos电容器

在硅栅mos电路中，要用到铝线、多晶硅连线和扩散连等三重布线，它们的主要性质列于下表。可见，铝线电流容量最大，电阻最小，因此在电路的互相连接上尽可能 采用铝线，特别是电源线和地线、电源线vdd、vgg及地线vss采用水平铝线，尽量不交叉，如必须交叉时则使用短而粗的重掺杂多晶硅线，因为多晶硅线的寄生电容仅高于铝线，各类互连线引起寄生电容也列于表中(设宽度均为10μm)。

交叉连线
双层布线