Latch-Up(锁定)
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:708
latch-up(锁定)是cmos存在一种寄生电路的效应，它会导致vdd和vss短路，使得晶片损毁，或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应是早期cmos技术不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分了解电路设计技巧之后，这种效应已经可以被控制了。 cmos电路之所以会产生latch-up效应，我们可以用图2.29来表示。在图中我们以剖面图来看一个cmos反相器如何发生此效应，而且它是用p型阱制造生产。在这个图中，我们同时也描绘了寄生电路，它包含了两个bjt(一个纵向npn和一个横向pnp)和两个电阻(rs是因n型衬底产生，rw是因p阱产生)。bjt的特性和mos是完全两样的。
cmos电路中的寄生pnpn效应
cmos电路中的寄生pnpn效应
latch-up(锁定)是cmos存在一种寄生电路的效应，它会导致vdd和vss短路，使得晶片损毁，或者至少系统因电源关闭而停摆。这种效应是早期cmos技术不能被接受的重要原因之一。在制造更新和充分了解电路设计技巧之后，这种效应已经可以被控制了。 cmos电路之所以会产生latch-up效应，我们可以用图2.29来表示。在图中我们以剖面图来看一个cmos反相器如何发生此效应，而且它是用p型阱制造生产。在这个图中，我们同时也描绘了寄生电路，它包含了两个bjt(一个纵向npn和一个横向pnp)和两个电阻(rs是因n型衬底产生，rw是因p阱产生)。bjt的特性和mos是完全两样的。
cmos电路中的寄生pnpn效应
cmos电路中的寄生pnpn效应
相关技术资料- 7-9500亿颗晶体管神玑NX9031芯片
- 7-9全新第4代SiC MOSFET技术平台应用详解
- 7-9最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 技术参数
- 7-9新型顶部散热封装碳化硅MOSFET
- 7-9通用型架构(GPU)和专用型架构(如ASIC)详解
- 7-9新一代训推一体芯片曦云 C700 系列
- 7-8650V双向GaNFast氮化镓功率芯片
- 7-8业内领先8英寸硅基氮化镓技术工作原理
- 7-8新一代600V超级接面MOSFET KP380N60DM3
- 7-8KEC 第三代SuperJunction MOSFET应用介绍
- 7-8KEC半导体650V碳化硅(SiC)肖特基二极体
- 7-8Arrow Lake U 系列处理器详解
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
