NEC推出第二代65nm节点VLSI多层互连技术
发布时间:2008/6/3 0:00:00 访问次数:820
nec公司和nec电子公司近日推出多层cu/low-k互连技术,适于第二代65nm节点vlsi应用。通过改善互连结构和介质材料,减小有效介电常数,keff,在不影响可靠性的前提下使keff的目标值达到3.0。与常规结构比较,互连功耗缩减了15%,信号速度提高24%。
cu/low-k互连技术特性:
(1)为第二代65nm节点低功耗vlsi应用开发出采用双重镶嵌(dd)结构的高性能、多层cu/low-k互连技术
(2)开发dd互连结构,引入具有次微毫米孔隙的多孔low-k电介质,通过连接寄生电容,可使互连功耗减少15%。借助薄势垒金属的耦合作用,使互连cr产品的性能提升24%
(3)开发"dd孔隙封焊技术",使用超薄有机low-k薄膜覆盖多孔low-k薄膜的所有侧面,通路电介质可靠性提升5倍
采用多孔low-k薄膜的高性能dd互连技术要点:
1)蚀刻技术,减少对low-k薄膜等离子体的损坏
2)低热预算处理,抑制铜互连中的热应力
采用dd孔隙封焊技术以保证通路电介质的可靠性,用等离子体聚合bcb(p-bcb)薄膜作为孔隙封焊薄膜,线路电阻和通路电阻可分别减少9%和75%。
nec将致力于开发这项技术的早期产品,预计在2004年6月15日的夏威夷vlsi技术座谈会上公布研发结果。
nec公司和nec电子公司近日推出多层cu/low-k互连技术,适于第二代65nm节点vlsi应用。通过改善互连结构和介质材料,减小有效介电常数,keff,在不影响可靠性的前提下使keff的目标值达到3.0。与常规结构比较,互连功耗缩减了15%,信号速度提高24%。
cu/low-k互连技术特性:
(1)为第二代65nm节点低功耗vlsi应用开发出采用双重镶嵌(dd)结构的高性能、多层cu/low-k互连技术
(2)开发dd互连结构,引入具有次微毫米孔隙的多孔low-k电介质,通过连接寄生电容,可使互连功耗减少15%。借助薄势垒金属的耦合作用,使互连cr产品的性能提升24%
(3)开发"dd孔隙封焊技术",使用超薄有机low-k薄膜覆盖多孔low-k薄膜的所有侧面,通路电介质可靠性提升5倍
采用多孔low-k薄膜的高性能dd互连技术要点:
1)蚀刻技术,减少对low-k薄膜等离子体的损坏
2)低热预算处理,抑制铜互连中的热应力
采用dd孔隙封焊技术以保证通路电介质的可靠性,用等离子体聚合bcb(p-bcb)薄膜作为孔隙封焊薄膜,线路电阻和通路电阻可分别减少9%和75%。
nec将致力于开发这项技术的早期产品,预计在2004年6月15日的夏威夷vlsi技术座谈会上公布研发结果。
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