0 引言

　　卫星电源系统主要用来为整个卫星的正常运行提供稳定的电源。它是卫星电能产生、储存、变换、调节、传输分配和管理的重要分系统。其基本功能是通过物理和化学过程将太阳的光能、核能或化学能转化为电能，并根据需要对电能进行存储、调节和变换，然后向卫星其它各分系统不间断供电。我国的卫星大都采用太阳能／蓄电池供电系统。蓄电池充电终压控制采用电压-温度补偿法，即v-t曲线控制。蓄电池温度传感器传统上一般选用热电耦或铂电阻。模拟电路硬件控制是温度补偿的常用方法，已经在我国各种型号的卫星上获得成功应用。

　　为加快我国卫星电源分系统的数字化设计。充分体现数字电路体积小、重量轻、功耗低、适应性强和可靠性高等优点，提高电源分系统的电能重量比，本文以ds18b20作为温度传感器，并采用单片机控制系统进行数据的采集、计算、调节及v-t曲线控制。

1 v-t曲线控制原理

v-t曲线的控制关系为：v=n(vs-kt)

　　式中：vs为电压状态值；t为温度；k为温度系数；n为补偿系数。

　　如温度t上升，电压v下降，这表明此时蓄电池升高，需要调节充电电压使温度降低，这就是v-t曲线补偿。其具体方法是采用v-t曲线跟踪补偿方案来控制蓄电池的充电终止电压，然后通过测量蓄电池组的端电压和单体温度，以预设的温度补偿电压曲线确定充电结束状态。同时在充电器内部设置保护性充电终止电压控制，以在电源控制计算机出现故障时停止对蓄电池充电，从而保证蓄电池组的安全。 2 数字温度传感器ds18b20

2.1 ds18b20的主要特点

　　ds18b20是美国dallas公司继ds1820之后推出的增强型单总线数字温度传感器。它在测温精度、转换时间、传输距离、分辨率等方面都比ds1820有所改进。ds18b20的主要特点如下：

　　◇采用单总线方式，仅需一根信号线与cpu连接即可传送串行数据，且不需要外部元件；

　　◇每个芯片都有惟一编码，多个ds18b20芯片可以并联在一根总线上，故可实现多点测温； ◇测温范围为-55～125℃，分辨率为12位；

　　◇测温结果的数字量位数为9～12位，并可编程选择；

　　◇可用数据线供电，也可用外部电源。

2.2 ds18b20的结构及功能

　　ds18b20采用3脚pr-35封装或8脚soic封装，其管脚排列如图1所示。图中，gnd为地；i／o为数据输入／输出端(即单线总线)，该脚为漏极开路输出，常态下呈高电平；vdd是外部+5 v电源端，不用时应接地。

　　ds18b20的内部结构主要包括寄生电源、温度传感器、64位激光rom、高速暂存器、用于存储用户设定的温度上下限值的th和tl触发器、存储与控制逻辑、8位循环冗余校验码发生器等七部分。其中rom由64位二进制数字组成，它由生产厂家光刻而成，共分为8个字节，字节0的内容是该产品的厂家代号28h，字节1～6的内容是48位器件序列号，字节7是rom前56位校验码。每个ds18b20的64位序列号均不相同，它可以看作是该ds18b20的地址序列码。rom的作用是使每一个ds18b20都各不相同，这样，就可以在一根总线上挂接多个ds18b20。

　　ds18b20温度传感器主要用于对温度进行测量，数据可用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，并以0.0625℃／lsb形式表示。

2.3 ds18b20的工作时序

　　根据ds18b20的通信协议，用主机控制ds18b20以完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写之前都要对ds18b20进行复位，复位成功后发送一条rom指令，最后发送ram指令，这样才能对ds18b20进行预定的操作。每一步操作必须严格按照时序规定进行。ds18b20的工作时序包括初始化时序、写时序和读时序。

2.4 ds18b20使用注意事项

　　主机控制ds18b20完成温度转换时，在每一次读写之前，都要对ds18b20进行复位，而且该复位要求主cpu要将数据线下拉500μs，然后释放。ds18b20收到信号后将等待16～60μs左右，之后再发出60～240μs的低脉冲。主cpu收到此信号即表示复位成功。实际上，较小的硬件开销需要相对复杂的软件进行补偿。由于ds18b20与微处理器间采用串行数据传送方式，因此，在对ds18b20进行读写编程时，必须严格地保证读写时序，否则，将无法正确读取测温结果。

　　对于在单总线上所挂ds18b20的数量问题，一般人们会误认为可以挂任意多个ds18b20，而在实际应用中并非如此。若单总线上所挂ds18b20超过8个时，则需要解决微处理器的总线驱动问题，因此，在进行蓄电池单体多点测温系统设计时该问题要加以注意。

　　连接ds18b20的总线电缆是有长度限制的。试验中，当采用普通信号电缆且其传输长度超过50 m时，读取的测温数据将发生错误。而将总线电缆改为双绞线带屏蔽电缆时，正常通讯距离可达150 m，如采用带屏蔽层且每米绞合次数更多的双绞线电缆