MMBF2201NT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:308
产品型号:mmbf2201nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1.400
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1.400
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
产品型号:mmbf2201nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1.400
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1.400
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,n沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
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