MMBF2202PT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:278
产品型号:mmbf2202pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.500
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.500
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
产品型号:mmbf2202pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.500
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.500
最大漏极电流id(on)(a):0.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-223/-55~150
描述:0.3a,20v,sot223,p沟道功率mosfet
价格/1片(套):￥1.10
相关技术资料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT应用前景简述
- 7-18最新一代低功耗内存LPDDR6标JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5标准应用探究
- 7-18Android 和Linux OS优势特征
- 7-18汽车混合信号微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS双通道隔离的闸门驱动器
- 7-17第二代储能电芯加速替代280Ah电芯应用详情
- 7-17业界首款超以太网和 UALink IP 解决方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 关键技术参数探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架构应用详解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器简述
- 7-174-20MA信号调节器技术参数设计
- 相关IC型号
热门点击
- MUR3060PTG的技术参数
- MBR20200CT的技术参数
- NSR15SDW1T1的技术参数
- J112G的技术参数
- NGD8201NT4G的技术参数
- MPF4393G的技术参数
- MBR2045CT的技术参数
- MBR1645的技术参数
- NGP8203N的技术参数
- MBRB4030G的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]
公网安备44030402000607
