NTB52N10T4G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:307
产品型号:ntb52n10t4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):100
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):52
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:52 a, 100 v功率mosfet
价格/1片(套):￥15.70
源漏极间雪崩电压vbr(v):100
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):52
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:52 a, 100 v功率mosfet
价格/1片(套):￥15.70
产品型号:ntb52n10t4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):100
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):52
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:52 a, 100 v功率mosfet
价格/1片(套):￥15.70
源漏极间雪崩电压vbr(v):100
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30
最大漏极电流id(on)(a):52
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150
描述:52 a, 100 v功率mosfet
价格/1片(套):￥15.70
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