NTB5404NT4G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:258
产品型号:ntb5404nt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):40
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.500
最大漏极电流id(on)(a):136
通道极性:n
封装/温度(℃):d2pak-3/-55~175
描述:40v,136a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):40
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.500
最大漏极电流id(on)(a):136
通道极性:n
封装/温度(℃):d2pak-3/-55~175
描述:40v,136a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
产品型号:ntb5404nt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):40
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.500
最大漏极电流id(on)(a):136
通道极性:n
封装/温度(℃):d2pak-3/-55~175
描述:40v,136a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):40
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.500
最大漏极电流id(on)(a):136
通道极性:n
封装/温度(℃):d2pak-3/-55~175
描述:40v,136a,n沟道mosfet
价格/1片(套):暂无
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