NTD70N03RT4的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:283
产品型号:ntd70n03rt4
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):70
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~150
描述:70a,25v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.28
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):70
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~150
描述:70a,25v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.28
产品型号:ntd70n03rt4
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):70
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~150
描述:70a,25v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.28
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):5.600
最大漏极电流id(on)(a):70
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak/-55~150
描述:70a,25v功率mosfet
价格/1片(套):￥4.28
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