NTD70N03RT4G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:244
产品型号:ntd70n03rt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8
最大漏极电流id(on)(a):72
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:70-75 a, 25v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.90
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8
最大漏极电流id(on)(a):72
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:70-75 a, 25v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.90
产品型号:ntd70n03rt4g
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8
最大漏极电流id(on)(a):72
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:70-75 a, 25v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.90
源漏极间雪崩电压vbr(v):25
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):8
最大漏极电流id(on)(a):72
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150
描述:70-75 a, 25v功率mosfet
价格/1片(套):￥3.90
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