NTHS5443T1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:248
产品型号:nths5443t1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):4.900
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20v, -4.9 a功率mosfet
价格/1片(套):￥2.44
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):4.900
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20v, -4.9 a功率mosfet
价格/1片(套):￥2.44
产品型号:nths5443t1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):4.900
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20v, -4.9 a功率mosfet
价格/1片(套):￥2.44
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):65
最大漏极电流id(on)(a):4.900
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):chipfet/-55~150
描述:-20v, -4.9 a功率mosfet
价格/1片(套):￥2.44
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