NTJD1155LT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:272
产品型号:ntjd1155lt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):8
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):175
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:8 v, ± 1.3 a功率mosfet
价格/1片(套):￥1.60
源漏极间雪崩电压vbr(v):8
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):175
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:8 v, ± 1.3 a功率mosfet
价格/1片(套):￥1.60
产品型号:ntjd1155lt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):8
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):175
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:8 v, ± 1.3 a功率mosfet
价格/1片(套):￥1.60
源漏极间雪崩电压vbr(v):8
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):175
最大漏极电流id(on)(a):1.300
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150
描述:8 v, ± 1.3 a功率mosfet
价格/1片(套):￥1.60
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