NTK3043NT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:267
产品型号:ntk3043nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1500@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.285
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:0.285a, 20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥.86
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1500@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.285
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:0.285a, 20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥.86
产品型号:ntk3043nt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1500@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.285
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:0.285a, 20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥.86
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1500@4.5v
最大漏极电流id(on)(a):0.285
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:0.285a, 20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):￥.86
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