NTK3142PT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:318
产品型号:ntk3142pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):-20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):2.7@-4.5v
最大漏极电流id(on)(a):-0.280
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:-0.28a, -20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):¥.94
源漏极间雪崩电压vbr(v):-20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):2.7@-4.5v
最大漏极电流id(on)(a):-0.280
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:-0.28a, -20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):¥.94
产品型号:ntk3142pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):-20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):2.7@-4.5v
最大漏极电流id(on)(a):-0.280
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:-0.28a, -20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):¥.94
源漏极间雪崩电压vbr(v):-20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):2.7@-4.5v
最大漏极电流id(on)(a):-0.280
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-723/-55~150
描述:-0.28a, -20v,esd保护功率mosfet
价格/1片(套):¥.94
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