NTMD2C02R2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:291
产品型号:ntmd2c02r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:2 a, 20 v,功率mosfet
价格/1片(套):￥4.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:2 a, 20 v,功率mosfet
价格/1片(套):￥4.80
产品型号:ntmd2c02r2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:2 a, 20 v,功率mosfet
价格/1片(套):￥4.80
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:2 a, 20 v,功率mosfet
价格/1片(套):￥4.80
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