NTMD2C02R2SG的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:270
产品型号:ntmd2c02r2sg
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p
封装/温度(℃):soic-8/-55~150
描述:20v,5.2a,n/p沟道双mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p
封装/温度(℃):soic-8/-55~150
描述:20v,5.2a,n/p沟道双mosfet
价格/1片(套):暂无
产品型号:ntmd2c02r2sg
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p
封装/温度(℃):soic-8/-55~150
描述:20v,5.2a,n/p沟道双mosfet
价格/1片(套):暂无
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):43
最大漏极电流id(on)(a):5.200
通道极性:n/p
封装/温度(℃):soic-8/-55~150
描述:20v,5.2a,n/p沟道双mosfet
价格/1片(套):暂无
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