NTMS4503NR2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:258
产品型号:ntms4503nr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):28
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7
最大漏极电流id(on)(a):14
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:28 v, 14 a,功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):28
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7
最大漏极电流id(on)(a):14
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:28 v, 14 a,功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
产品型号:ntms4503nr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):28
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7
最大漏极电流id(on)(a):14
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:28 v, 14 a,功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
源漏极间雪崩电压vbr(v):28
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):7
最大漏极电流id(on)(a):14
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:28 v, 14 a,功率mosfet
价格/1片(套):¥6.00
热门点击
- 1N4001的技术参数
- MUR3060PTG的技术参数
- MUR550APFRLG的技术参数
- MBR20200CT的技术参数
- NSR15SDW1T1的技术参数
- J112G的技术参数
- BAS21LT1G的技术参数
- NGD8201NT4G的技术参数
- MPF4393G的技术参数
- MBR2045CT的技术参数
推荐技术资料
- 单片机版光立方的制作
- N视频: http://v.youku.comN_sh... [详细]