NTMS4704NR2G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:273
产品型号:ntms4704nr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9.500
最大漏极电流id(on)(a):12.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:30 v, 12.3 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9.500
最大漏极电流id(on)(a):12.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:30 v, 12.3 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
产品型号:ntms4704nr2g
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9.500
最大漏极电流id(on)(a):12.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:30 v, 12.3 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
源漏极间雪崩电压vbr(v):30
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):9.500
最大漏极电流id(on)(a):12.300
通道极性:n沟道
封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150
描述:30 v, 12.3 a, 功率mosfet
价格/1片(套):￥4.50
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