NTZS3151PT1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:409
产品型号:ntzs3151pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150
最大漏极电流id(on)(a):0.950
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-563/-55 ~150
描述:-20 v, -950 ma 双功率mosfet带esd保护
价格/1片(套):￥1.85
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150
最大漏极电流id(on)(a):0.950
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-563/-55 ~150
描述:-20 v, -950 ma 双功率mosfet带esd保护
价格/1片(套):￥1.85
产品型号:ntzs3151pt1g
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150
最大漏极电流id(on)(a):0.950
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-563/-55 ~150
描述:-20 v, -950 ma 双功率mosfet带esd保护
价格/1片(套):￥1.85
源漏极间雪崩电压vbr(v):20
源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):150
最大漏极电流id(on)(a):0.950
通道极性:p沟道
封装/温度(℃):sot-563/-55 ~150
描述:-20 v, -950 ma 双功率mosfet带esd保护
价格/1片(套):￥1.85
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